Kesan Suhu Substrat Pada Kadar Penambakan Filem Nipis ZAO

Rajah 4 menunjukkan bahawa kadar pemendapan tidak sensitif kepada perubahan suhu substrat. Parameter proses ialah: tekanan tindak balas ialah 0.7 Pa, nisbah aliran gas O2 dan gas Ar adalah 3/20, kuasa sputtering adalah 140 W. Dengan peningkatan suhu substrat, pekali lekatan atom fasa gas pada permukaan substrat kenaikan, dan kadar pemendapan harus dikurangkan. Walau bagaimanapun, kesan eksperimen ini tidak besar. Ini mungkin kerana instrumen menunjukkan suhu tidak sepadan dengan suhu sebenar atau disebabkan oleh kerosakan pada permukaan substrat oleh zarah-zarah berantakan.

Kedua-dua titik pada 170 ° C dan 230 ° C diplot pada lengkung Rajah 4, dan diplotkan sebagai Rajah 4.1, parameter proses yang lain tetap sama. Ia dapat dilihat bahawa pada kadar aliran yang lebih rendah, kadar pemendapan pada dasarnya tidak berubah, dan perubahan mendadak dalam kadar pemendapan hampir sama pada kedua-dua titik, tetapi pada kadar aliran yang lebih tinggi, kadar pengendapan menjadi lebih besar sebagai suhu substrat kenaikan. Oleh itu, suhu tinggi tidak dapat menangguhkan fenomena keracunan sasaran, tetapi ia dapat mengurangkan kadar perubahan kadar pemendapan. Ia dapat dilihat dari Rajah 4.1 bahawa sama ada menukar parameter tekanan tindak balas, kuasa sputtering atau suhu pemendapan, kadar pemendapan filem adalah konsisten dengan trend laju aliran O2, ia akan mengalami peralihan dari mod logam ke mod oksida kedua-duanya kerana keracunan sasaran. Oleh itu, tekanan, kuasa, dan suhu gas boleh ditingkatkan dengan sewajarnya untuk mendapatkan kadar pemendapan yang tinggi untuk mengurangkan fenomena keracunan sasaran.

Rajah 4. Hubungan antara suhu substrat dan kadar pemendapan

Rajah 4.1 Hubungan antara aliran gas O2 dan kadar pemendapan pada suhu substrat yang berlainan