Aliran Proses Utama Magnetron Sputtering

Aliran proses utama magnetron sputtering:
(l) Pembersihan substrat, terutama menggunakan pembersihan wap alkohol isopropil, diikuti dengan merendam substrat dengan etanol dan aseton dan mengeringkannya dengan cepat untuk menghilangkan noda minyak permukaan;
(2) Mengepam vakum, vakum mesti dikendalikan lebih dari 2 × 104Pa untuk memastikan kemurnian filem;
(3) Pemanasan. Untuk menghilangkan kelembapan permukaan substrat dan meningkatkan daya pengikat antara filem dan substrat, substrat harus dipanaskan pada suhu antara 150 ℃ hingga 200 ℃.
(4) Tekanan separa argon, umumnya dalam kisaran 0,01 ~ 1Pa, untuk memenuhi keadaan tekanan pelepasan cahaya;
(5) Presputtering, yaitu membuang filem oksida di permukaan sasaran dengan pengeboman ion, agar tidak mempengaruhi kualitas film;
(6) Sputtering: Di bawah tindakan medan magnet ortogonal dan medan elektrik, ion positif yang dibentuk oleh argon terionisasi mengebom bahan sasaran dengan kelajuan tinggi, sehingga zarah sasaran yang dipancarkan oleh sputtering mencapai permukaan substrat dan masuk ke dalam filem;
(7) Dalam penyepuhlindapan, pekali pengembangan termal filem tipis dan substrat berbeza, dan daya ikatannya kecil. Dalam penyepuhlindapan, penyebaran atom antara filem nipis dan substrat dapat meningkatkan lekatan dengan berkesan.

RAJAH. Carta aliran proses pelapisan sputtering Magnetron

Syarikat PVD IKS, mesin pelapis hiasan, mesin pelapisan alat, mesin pelapis optik, garisan cetakan vakum PVD. Hubungi kami sekarang, E-mel: iks.pvd@foxmail.com