Penyaduran ion

Penyaduran ion (IP) adalah proses pemendapan wap piskis (PVD) yang kadang-kadang dipanggil pemendapan dibantu ion (IAD) atau pemendapan wap ion (IVD) dan merupakan versi pemendapan vakum. Penyaduran ion menggunakan pengeboman bersamaan atau berkala substrat, dan deposit filem oleh zarah-zarah bertenaga bersaiz atom. Pengeboman sebelum pemendapan digunakan untuk memecahkan permukaan substrat. Semasa pemendapan, pengeboman digunakan untuk mengubah dan mengawal sifat-sifat filem pendeposit. Adalah penting bahawa pengeboman berterusan di antara pembersihan dan bahagian pemendapan proses untuk mengekalkan antara muka yang bersih secara atom.

Dalam penyaduran ion tenaga, fluks dan jisim spesies pengeboman bersama dengan nisbah zarah pengeboman untuk mendepositkan zarah adalah pemboleh ubah pemprosesan yang penting. Bahan pendeposit mungkin menguap sama ada dengan penyejatan, sputtering (bias sputtering), pengewapan arka atau penguraian suatu pengisaran wap kimia wap kimia precursor (CVD). Zarah-zarah energik yang digunakan untuk pengeboman biasanya ion-ion gas yang tidak aktif atau reaktif, atau, dalam sesetengah kes, ion bahan filem pemeluwapan ("ion filem"). Penyaduran ion boleh dilakukan dalam persekitaran plasma di mana ion-ion untuk pengeboman diekstrak dari plasma atau ia boleh dilakukan dalam persekitaran vakum di mana ion-ion untuk pengeboman terbentuk dalam pistol ion berasingan. Konfigurasi penyaduran ion yang terakhir sering dipanggil Ion Beam Assisted Deposition (IBAD). Dengan menggunakan gas reaktif atau wap dalam plasma, filem bahan kompaun boleh didepositkan.

Penyaduran ion digunakan untuk mendeposit pelapis bahan-bahan kompaun keras pada alat, lapisan logam yang berpadu, lapisan optik dengan ketumpatan tinggi, dan lapisan konformal pada permukaan kompleks.

Proses penyaduran ion pertama kali diterangkan dalam literatur teknikal oleh Donald M. Mattox dari Laboratorium Nasional Sandia (SNL) pada tahun 1964. [1]