Perbandingan prinsip pemprosesan rasuk elektron dan teknologi pemprosesan rasuk ion

Prinsip   perbandingan pemprosesan rasuk elektron dan teknologi pemprosesan rasuk ion

Pemprosesan rasuk elektron berada di bawah keadaan vakum, dengan menggunakan kepadatan tenaga tinggi rasuk elektron, setelah memberi tumpuan kepada impak kelajuan tinggi ke kawasan permukaan minimum, dalam masa yang sangat singkat (dalam pecahan mikrosecond), kebanyakan tenaganya menjadi tenaga panas , menyebabkan kesan bahan kerja mencapai lebih daripada beberapa ribu darjah Celcius suhu, oleh itu menyebabkan pencairan separa dan pengewapan bahan, oleh sistem vakum. Tujuan pemprosesan yang berbeza boleh dicapai dengan mengawal ketumpatan tenaga rasuk elektron dan masa suntikan tenaga. Rawatan haba rasuk elektron boleh dilakukan jika bahan dipanaskan secara tempatan. Kimpalan rasuk elektron boleh dilakukan dengan mencairkan sebahagian bahan tersebut. Dengan meningkatkan ketumpatan tenaga rasuk elektron, bahan itu cair dan gasifikasi, supaya ia dapat ditumbuk, dipotong dan diproses. Litografi rasuk elektron boleh digunakan untuk menghasilkan perubahan kimia apabila rasuk elektron dengan kepadatan tenaga yang rendah digunakan untuk bahan bumer polimer fotosensitif.

Pemprosesan balok ion adalah sama dengan pemprosesan balok elektron di mana rasuk ion yang dihasilkan oleh sumber ion dipercepatkan untuk memberi tumpuan di bawah keadaan vakum, menyebabkannya memukul permukaan bahan kerja. Berbeza adalah ion bermuatan positif, dan ribuan kualitinya, puluhan ribu kali lebih besar daripada elektronik, seperti kualiti ion argon adalah 72000 kali elektron, jadi apabila ion dipercepatkan kepada kelajuan tinggi, pancaran elektron rasuk ion mempunyai kesan yang lebih besar tenaga kinetik, ia bergantung kepada tenaga impak mekanikal mikro, dan bukannya diproses oleh tenaga kinetik ke dalam tenaga haba. Asas fizikal pemprosesan balok ion adalah kesan impak, kesan sputtering dan kesan suntikan ketika rasuk ion memasuki permukaan material. Apabila ion dengan tenaga kinetik tertentu menyerupai permukaan bahan kerja, atom-atom di permukaan dapat ditebang. Jika bahan kerja digunakan secara langsung sebagai sasaran pengeboman ion, permukaan bahan kerja akan terukir dengan ion. Sekiranya bahan kerja diletakkan berhampiran bahan sasaran, atom bahan sasaran akan meletus ke permukaan bahan kerja dan didepositkan dan diserap oleh sputtering, supaya permukaan bahan kerja disalut dengan lapisan bahan bahan sasaran. Jika tenaga ion cukup besar untuk memukul permukaan bahan kerja secara menegak, ion akan mengebor ke permukaan bahan kerja, yang merupakan kesan implantasi ion.

IKS PVD Electron rasuk salutan mesin optik, IKS-OPT2700, Maklumat lanjut, sila hubungi iks.pvd@foxmail.com