Sputtering sasaran aplikasi utama

Sasaran sputtering yang terutamanya digunakan dalam elektronik dan industri maklumat, seperti litar bersepadu, paparan Kristal cecair, penyimpanan maklumat, laser ingatan, alat-alat kawalan yang elektronik, dll.; boleh juga digunakan untuk bidang lapisan kaca; juga boleh digunakan dalam bahan-bahan tahan suhu yang tinggi, produk hiasan gred tinggi, rintangan kakisan dan industri-industri lain.

Mengikut klasifikasi bentuk boleh dibahagikan kepada long sasaran, sasaran, sasaran bulatan, sasaran profil boleh dibahagikan kepada sasaran logam, bahan sasaran aloi, seramik sasaran kompaun mengikut aplikasi berbeza dan dibahagikan kepada seramik semikonduktor berkaitan sasaran, sederhana rakaman, paparan sasaran seramik seramik sasaran, superconducting bahan seramik sasaran dan gergasi magnetoresistance seramik sasaran mengikut domain aplikasi untuk sasaran, sasaran, sasaran, magnet rakaman cakera logam Mulia filem nipis perintang boleh sasaran, sasaran, sasaran, lapisan permukaan pengubahsuaian filem pengalir topeng sasaran, sasaran, sasaran, sasaran, sasaran pakej hiasan lapisan elektrod, sasaran magnetron yang sputtering beliau prinsip: menurut Komposisi di sputtering sasaran (katod) dan untuk orthogonal medan magnet dan elektrik bidang dan katod, di Dewan vakum yang tinggi dipenuhi dengan inert gas diperlukan (biasanya Ar), bentuk magnet kekal 250-350 menyusahkan dalam medan magnet pada permukaan sasaran bahan medan elektromagnet yang orthogonal terdiri daripada bidang elektrik voltan tinggi. Di bawah pengaruh medan elektrik, pengionan Ar gas ion dan elektron, sasaran dengan voltan negatif yang tinggi dan kerja gas di bawah tindakan medan magnet dari sasaran elektronik dari kebarangkalian pengionan aerosol, pembentukan sebuah plasma berkepadatan tinggi berhampiran katod, peranan Ar ion-ion dalam tentera Lorentz di bawah dipercepatkan ke arah sasaran permukaan. Pada kelajuan yang sangat tinggi membedil sasaran permukaan, sasaran adalah sputtered atom ikut prinsip penukaran momentum dengan tenaga kinetik yang tinggi daripada permukaan sasaran filem substrat didepositkan. Magnetron sputtering umumnya terbahagi kepada dua jenis: Cawangan sputtering dan RF sputtering, di mana cawangan sputtering peranti adalah mudah dalam prinsip dan cepat sputtering logam. RF sputtering boleh digunakan secara lebih meluas, selain daripada sputtering bahan-bahan pengalir, tetapi juga sputtering bahan-bahan pengalir bebas, tetapi juga reaktif sputtering menyediakan oksida, nitrides dan carbides dan sebatian lain. Jika frekuensi RF meningkat, ia akan menjadi plasma ketuhar gelombang mikro yang sputtering, biasanya dengan elektron cyclotron resonans (ECR) jenis microwave plasma sputtering.

Sasaran salutan magnetron sputtering:

Aloi logam yang sasaran, sasaran, sasaran seramik seramik boride sputtering karbida seramik seramik fluorida sputtering nitride oksida seramik seramik sasaran sputtering sputtering, sputtering seramik seramik selenide sputtering sputtering sputtering silicide sputtering sulfida seramik sputtering telluride seramik sputtering sasaran lain seramik, sasaran seramik oksida silikon doped chromium (Cr-oleh Pusat Pengajian), phosphide indium (InP), sasaran sasaran utama arsenik (PbAs), InAs sasaran (InAs).

Berkualiti tinggi dan berkepadatan tinggi sputtering sasaran mempunyai:

Sputtering sasaran (ketulenan: 99.9% - 99.999%)

1. logam sasaran:

Sasaran, Ni, nikel titanium sasaran, Ti, Zn, Cr, Zn, Mg, Cr, sasaran Mg, sasaran Nb, sasaran, sasaran niobium tin, Sn, sasaran aluminium dan Al sasaran, dengan, zat besi dan sasaran indium, Fe, sasaran, ZrAl, Ti saya Zr Al dan Al sasaran, TiAl, zirkonium sasaran saya Zr, AlSi, silikon aluminium silikon sasaran, sasaran Si, sasaran Cu, sasaran T tembaga, tantalum sasaran, Ge, a, Ge, Ag, kobalt Perak sasaran target, Co, Au, strategik, sasaran emas, sasaran strategik, sasaran La sasaran yttrium lanthanum, cerium, sasaran, Ce, Y tungsten sasaran, W, keluli tahan karat, nikel kromium sasaran sasaran, sasaran dan HF Fénix, NiCr, molibdenum yang kaya hafnium sasaran dan Mo sasaran, FeNi, besi nikel, tungsten sasaran, sasaran sputtering logam W.

2. sasaran seramik

ITO dan AZO sasaran, Magnesium oksida, sasaran, sasaran, sasaran besi oksida silikon nitride, titanium nitride, silikon karbida sasaran sasaran sasaran sasaran, zink oksida chrome, zink sulfida, silika sasaran, sasaran silikon oksida, cerium oksida sasaran, sasaran dua sasaran dan lima dua zirconia oksida, titanium dioksida, niobium sasaran sasaran dua zirconia sasaran dua dan hafnium oksida sasaran, sasaran dua zirkonium boride titanium diboride, tungsten oksida sasaran, sasaran, sasaran lima tiga pengoksidaan Aluminium oksida dua dua oksida tantalum lima, niobium dua sasaran, sasaran, sasaran yttrium fluorida, fluorida magnesium, zink selenide sasaran aluminium nitride sasaran, sasaran nitride silikon, boron nitride titanium nitride silikon karbida sasaran, sasaran, target. Sasaran, sasaran, litium niobate titanate praseodymium barium titanate sasaran, lanthanum titanate dan nikel setiap satunya oksida seramik sasaran sputtering sasaran.

3. sasaran aloi

Ni TK aloi sasaran, sasaran aloi nikel vanadium dan sasaran aloi aluminium silikon dan nikel aloi tembaga sasaran, titanium aloi aluminium, nikel vanadium aloi sasaran dan boron aloi sasaran, ferrosilicon aloi sasaran tinggi kesucian aloi sputtering sasaran.