Sputtering sasaran

Sasaran salutan adalah sputtering sumber yang terbentuk pada pelbagai substrat oleh magnetron sputtering, pelbagai arc ion penyaduran atau lain-lain jenis sistem lapisan di bawah syarat-syarat yang sepatutnya.

Syarat-syaratsputtering sasaranbahan adalah lebih tinggi daripada industri bahan-bahan tradisional. Secara amnya, seperti saiz, Kedataran, kesucian, kandungan junub, ketumpatan, N/O/C/S, saiz butiran dan kecacatan kawalan. Keperluan yang tinggi atau keperluan khas termasuk: permukaan roughness, rintangan, keseragaman saiz bijirin, keseragaman komposisi dan tekstur, perkara asing (oksida) kandungan dan saiz, kadar resapan magnet, ultra-Quality ketumpatan dan bijirin yang sangat baik dan begitu pada. Sasaran sputtering merupakan sejenis kaedah pemendapan wap fizikal, iaitu menggunakan sistem senapang elektron pancaran elektron dan tumpuan kepada bahan salutan, supaya atom yang diputar akan ikut prinsip penukaran momentum dan Terbang jauh dari bahan tersebut ke dalam substrat pemendapan filem. Bersalut bahan jenis ini dipanggil sputtering sasaran.

Magnetron sputtering salutan adalah jenis baru kaedah salutan wap fizikal, berbanding dengan kaedah salutan penyejatan, yang mempunyai kelebihan yang besar dalam banyak hal. Magnetron sputtering telah digunakan dalam pelbagai bidang seperti teknologi maju.

Teknologi sputtering

Sputtering adalah salah satu teknik-teknik utama bagi menyediakan bahan-bahan filem nipis. Ia menggunakan ion-ion yang dijana oleh sumber ion untuk mempercepatkan dan agregat sendiri untuk membentuk pancaran ion berkelajuan tinggi semasa yang menyerang permukaan yang kukuh dan penukaran tenaga kinetik antara ion dan atom permukaan pepejal. Atom di permukaan pepejal meninggalkan pepejal dan deposit pada permukaan dalam substrat. Bombarded pepejal merupakan bahan mentah untuk menyediakan filem sputter yang didepositkan, yang dipanggil disputtering sasaran.

Permohonan

Sputtering sasaran terutamanya digunakan dalam elektronik dan industri maklumat, seperti litar bersepadu, penyimpanan maklumat, paparan Kristal cecair, laser ingatan, alat-alat kawalan yang elektronik, dll.; boleh juga digunakan untuk bidang lapisan kaca; boleh juga digunakan untuk bahan-bahan yang tahan Haus, suhu yang tinggi hakisan, bekalan hiasan yang mewah dan industri-industri lain.

Klasifikasi

1. menurut kepada bentuk, ia boleh dibahagikan kepadasasaran persegi, sasaran pusingan.

2. menurut dengan komposisi, ia boleh dibahagikan kepada sasaran logam, aloi sasaran, sasaran sebatian seramik.

3. menurut untuk aplikasi tersebut, ia boleh dibahagikan kepada sasaran seramik semikonduktor yang berkaitan, sasaran seramik dielectric rakaman, paparan seramik sasaran, sasaran seramik superconducting dan gergasi magneto rintangan seramik sasaran.

4. menurut ke medan permohonan, ia boleh dibahagikan kepada Mikroelektronik sasaran, sasaran rakaman magnetik, cakera optikal sasaran, sasaran logam berharga, filem nipis rintangan sasaran, sasaran filem pengalir, permukaan diubahsuai sasaran, sasaran hiasan lapisan, elektrod sasaran, sasaran pembungkusan dan sasaran-sasaran lain.

Prinsip Magnetron Sputtering

Orthogonal medan magnet dan medan elektrik yang digunakan antara sasaran sputtered (katod) dan katod untuk mengisi Dewan tinggi-vakum dengan gas inert diperlukan (biasanya, Ar gas). Magnet kekal membentuk medan magnet Gaussian 250-350 dengan medan elektrik voltan tinggi yang terdiri daripada orthogonal medan elektromagnet. Di bawah tindakan bidang elektrik, Ar gas terion menjadi ion positif dan elektron, dan yang tertentu negatif voltan tinggi dikenakan kepada golongan sasar. Dengan pengaruh medan magnet, kebarangkalian pengionan elektron dan kerja gas dikeluarkan dari peningkatan sasaran, dan plasma berpendudukan tinggi terbentuk berhampiran katod. Ion-ion Ar mempercepatkan untuk terbang ke sasaran permukaan di bawah tentera Lorentz dan membedil sasaran permukaan pada kelajuan sangat tinggi supaya atom yang sputtered oleh sasaran ikut prinsip penukaran momentum dan bergerak dari permukaan sasaran kepada substrat dengan tenaga kinetik yang lebih tinggi sampai ke filem.

Magnetron yang sputteringsecara umumnya terbahagi kepada dua jenis:sputtering perjalanan dan frekuensi radio sputtering, di mana prinsip sputtering naungannya adalah mudah, dan kadar yang lebih cepat apabila logam sputter. Frekuensi radio sputtering lebih digunakan secara meluas. Selain daripada bahan-bahan pengalir sputter, tetapi juga sputtering bahan-bahan lekuk. Dan, sebatian oksida, nitride dan karbida it juga disediakan oleh sputtering reaktif. Jika frekuensi radio meningkat selepas sputtering plasma ketuhar gelombang mikro, biasanya elektron cyclotron resonans (ECR) microwave plasma sputtering.

Bahan-bahan MagnetronSputtering lapisan sasaran: Logam yang sputtering bahan salutan bahan salutan sputtering aloi, bahan salutan sputtering seramik, bahan salutan sputtering seramik boride, seramik karbida sputtering bahan salutan bahan salutan sputtering seramik fluorida, nitride seramik sputtering bahan salutan bahan salutan sputtering seramik oksida, bahan salutan sputtering seramik selenide, silicide seramik sputtering bahan salutan bahan salutan sputtering seramik sulfida, telluride seramik sputtering bahan salutan dan lain-lain.