Ciri pemprosesan rasuk ion:

Ciri pemprosesan rasuk ion:

(1) Oleh kerana pancaran ion boleh diimbas dengan memfokus melalui sistem optik elektronik, bahan pengeboman ion rasuk membuang lapisan atom dengan lapisan, ketumpatan rasuk ion dan tenaga ion dapat dikendalikan dengan tepat, jadi etsa ion dapat mencapai ketepatan pemprosesan nanometer (0.001 nm). Salutan ion boleh dikawal pada tahap sub-mikron, dan kedalaman dan kepekatan implantasi ion dapat dikendalikan dengan sangat tepat. Oleh itu, pancaran ion adalah kaedah pemprosesan yang paling tepat dan mikro di kalangan semua kaedah pemprosesan khas, dan merupakan asas teknologi pemproses nanometer moden.

(2) Oleh kerana pemprosesan rasuk ion dijalankan dalam vakum yang tinggi, ia mempunyai kurang pencemaran dan amat sesuai untuk pemprosesan logam yang mudah teroksidasi, bahan aloi dan bahan semikonduktor yang tinggi.

(3) Pemprosesan rasuk ion dicapai dengan membombardir atom pada permukaan bahan dengan ion. Ia adalah kesan mikro, tekanan makro adalah sangat kecil, jadi tekanan pemprosesan, ubah bentuk haba dan lain-lain yang kecil, kualiti pemprosesan yang tinggi, sesuai untuk semua jenis bahan dan pemprosesan bahagian kekakuan yang rendah.

(4) Keamatan, kedudukan dan tumpuan rasuk elektron boleh dikawal secara langsung oleh medan magnet atau elektron, jadi proses keseluruhannya mudah untuk dimuatkan terlebih dahulu. Terutamanya dalam pendedahan rasuk elektron, dari lokasi pemprosesan ke pengimbasan grafik pemprosesan. Boleh diautomatikkan. Semasa penggerudian dan pemotongan rasuk elektron, lubang berbentuk khas boleh diproses oleh kawalan elektrik untuk mencapai pemotongan melengkung.

IKS PVD Electron rasuk salutan mesin optik, IKS-OPT2700, Maklumat lanjut, sila hubungi iks.pvd@foxmail.com